1. 塊體樣品要求平整,干凈,導(dǎo)電性好,尺寸必須大于5*5mm-小于10*10mm左右,厚度小于2mm;粉末樣品優(yōu)先選擇旋涂法,基材材質(zhì)為ITO、FTO、單晶硅片等半導(dǎo)體材料,且表面導(dǎo)電性連續(xù),不能使用刻蝕后基材制樣,尺寸必須大于5*5mm-小于等于10*10mm左右,厚度小于2mm,薄膜盡可能做的較薄,涂完膜干燥后能看到薄薄一層樣品即可。
2.粉體樣品需要制備為薄膜,參考制備方法及要求如下:先把粉末(粉末顆粒直徑最好在1萬(wàn)目以下)樣品分散在水或乙醇里(濃度盡量低點(diǎn)),旋涂滴在ITO上烘干,可以多循環(huán)幾次,一定要保證膜表面盡量平整、均勻、連續(xù)、整潔,ITO尺寸必須大于5*5mm-小于10*10mm左右,涂完膜干燥后膜層以完全覆蓋住ITO即可(膜層厚度10-50nm即可),膜層的電阻最好小于10千歐,最大不能超過(guò)30千歐。