透射電子顯微鏡TEM
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0431-80514535| 透射電子顯微鏡TEM | FEI Tecnai F20, TF30,JEOL JEM 2100F,F(xiàn)EI Talos F200X 等 | 銅網(wǎng)制樣:50 元/樣,鉬網(wǎng):100 元/樣。 非磁樣品:形貌(高分辨)300 元/樣,點(diǎn)掃 100 元,線掃 200元,mapping300 元,衍射 100 元,STEM 300 元;弱磁樣品(磁性樣品不接受自己制樣):形貌(高分辨)400 元/樣,點(diǎn)掃 100 元,線掃 200 元,mapping400 元,衍射 100元,STEM 400 元;強(qiáng)磁樣品:形貌(高分辨)600 元/樣,點(diǎn)掃 100 元,線掃 300元,mapping400 元,衍射 100 元,STEM 400 元各地價(jià)格略有差異,以當(dāng)?shù)禺?dāng)前官網(wǎng)為準(zhǔn) | 可做粉末、塊體的磁性和非磁性樣品,塊體可以制樣,可以做衍射、能譜、mapping、STEM,可以做電子能量損失譜(EELS),可做云視頻或現(xiàn)場。 |
測試目的及應(yīng)用場景
4、研究材料的界面和界面反應(yīng):TEM可以觀察材料的界面結(jié)構(gòu)和界面反應(yīng),包括晶界、相界和界面反應(yīng)產(chǎn)物等。
測試原理

測試步驟
以日本JEOL JEM-F200測試為例,一般測試步驟如下所示(僅供參考):
1、制樣
測試前將樣品制備到載網(wǎng)上。粉末類樣品一般會加入分散劑制成一定濃度的分散液,液體樣品需稀釋到適當(dāng)?shù)臐舛?,然后根?jù)具體情況搖勻或超聲分散,將適量分散液滴加在載網(wǎng)上,自然晾干或烘干。較大的薄膜、固體樣品以及有特殊拍攝需求的樣品需要進(jìn)行超薄切片、FIB、離子減薄等方式制備成可以拍攝的樣品。
2、進(jìn)樣
將制備好的樣品置于樣品桿頭部的載樣臺上,用壓片壓緊并旋緊固定螺絲。檢查并清理樣品桿前段肉眼可見雜質(zhì)和灰塵,然后將樣品桿插入設(shè)備,根據(jù)設(shè)備參數(shù)設(shè)定進(jìn)行手動或自動進(jìn)樣。
3、形貌拍攝
拍攝前首先調(diào)節(jié)電子束、光闌、焦距、像散等參數(shù),并調(diào)節(jié)至合適的亮度。然后在Low MAG模式下找到載網(wǎng)上有樣品的區(qū)域,之后切換到MAG模式找到樣品具體位置進(jìn)行形貌拍攝。
4、選區(qū)衍射
先找到特定的位置,選擇合適大小的光闌,并根據(jù)衍射花樣調(diào)節(jié)相機(jī)參數(shù)。拍攝非晶或多晶衍射時(shí)應(yīng)插入擋針遮擋透射班,拍攝單晶衍射時(shí)可以適當(dāng)傾轉(zhuǎn)樣品至合適的帶軸。
5、STEM模式成像
先在TEM模式下找到特定位置,之后將拍攝模式切換至STEM模式,調(diào)節(jié)電子束、光闌、焦距、像散等參數(shù),并調(diào)節(jié)至合適的亮度進(jìn)行拍攝。
6、能譜分析
先在TEM模式下找到特定位置,之后將拍攝模式切換至STEM模式,插入能譜探測器并在能譜軟件上設(shè)置掃描的元素及方式等參數(shù)后進(jìn)行能譜分析。
注意事項(xiàng)
注意:首次下單建議先聯(lián)系指南針工作人員,溝通拍攝要求后再下單
1,粉體、液體、可測試,薄膜或塊狀樣品不能直接拍攝,需另行制樣(如離子減薄、包埋切片、FIB等);
2,樣品的厚度不超過100nm,如果顆粒稍大一點(diǎn),可適當(dāng)研磨至100nm以下(可先拍SEM判定顆粒大小);
3,一般制樣選微柵銅網(wǎng)即可,如果顆粒直徑小于10nm用超薄碳膜制樣;樣品含Cu,需要拍EDS能譜和mapping可選鎳網(wǎng)或者鉬網(wǎng)等;
4,強(qiáng)磁樣品要求顆粒大小不超過200nm,且不接受自己制樣;強(qiáng)磁樣品拍攝時(shí)會出現(xiàn)不同程度的抖動,會影響拍攝效果以及周期;因磁性抖動導(dǎo)致的效果不佳,不安排復(fù)測;
5,請務(wù)必仔細(xì)檢查您的樣品,若發(fā)現(xiàn)以弱磁強(qiáng)磁充當(dāng)非磁或者以強(qiáng)磁充當(dāng)弱磁非磁,我們將可能無法安排您的實(shí)驗(yàn),不承擔(dān)以此造成的時(shí)間和樣品損失;且須賠償原訂單金額的兩倍費(fèi)用!!若造成設(shè)備損壞,維修費(fèi)用須由您全部承擔(dān);
6,若需要負(fù)染制樣,請聯(lián)系工作人員。
7,若樣品需要特殊條件保存,請下單前聯(lián)系工作人員確認(rèn)。
形貌


點(diǎn)掃

線掃

面掃



| Element | Kev | Mass(%) | Sigma | Atom% | K |
| C | 0.277 | 64.82 | 0.17 | 75.37 | 26.2426 |
| O | 0.525 | 18.98 | 0.09 | 16.57 | 26.9317 |
| Si | 1.739 | 16.20 | 0.11 | 8.06 | 46.8256 |
| total | 100.00 | 100.00 |
衍射
